SEMICONDUCTOR ပစ္စည်းဒီဇိုင်း

ကျွန်ုပ်တို့၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများသည် အခြေခံရူပဗေဒအဆင့်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ လည်ပတ်မှုကို ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန်အတွက် သီးခြားကိရိယာများကို ပံ့ပိုးပေးသည့် ဆော့ဖ်ဝဲလ်မော်ဂျူးများကို အသုံးပြုပါသည်။ ထိုကဲ့သို့သော module များသည် isothermal သို့မဟုတ် nonisothermal သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးမော်ဒယ်များကိုအသုံးပြု၍ drift-diffusion ညီမျှခြင်းများအပေါ်အခြေခံသည်။ ထိုကဲ့သို့သော ဆော့ဖ်ဝဲလ်ကိရိယာများသည် စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများ (BJTs)၊ သတ္တု-တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်-အကျိုးသက်ရောက်မှုထရန်စစ္စတာများ (MESFETs)၊ သတ္တု-အောက်ဆိုဒ်-တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာနယ်ပယ်-အကျိုးသက်ရောက်မှုထရန်စစ္စတာများ (MOSFET)၊ တံခါးပေါက်စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများအပါအဝင် လက်တွေ့စက်ပစ္စည်းအများအပြားကို အတုယူရန် အသုံးဝင်သည်။ IGBTs)၊ Schottky diodes နှင့် PN လမ်းဆုံများ။ ဘက်စုံရူပဗေဒအကျိုးသက်ရောက်မှုများသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်တွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်သည်။ အစွမ်းထက်သောဆော့ဖ်ဝဲလ်ကိရိယာများဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအကျိုးသက်ရောက်မှုများများစွာပါဝင်သော မော်ဒယ်များကို အလွယ်တကူဖန်တီးနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ပါဝါစက်တစ်ခုအတွင်းရှိ အပူဓာတ်သက်ရောက်မှုများကို ရူပဗေဒဆိုင်ရာ အသွင်ကူးပြောင်းမှုတစ်ခုဖြင့် အတုယူနိုင်သည်။ ဆိုလာဆဲလ်များ၊ အလင်းထုတ်လွှတ်သောဒိုင်အိုဒ့်များ (LED) နှင့် photodiodes (PDs) ကဲ့သို့သော စက်ပစ္စည်းအကွာအဝေးများကို အတုယူရန် Optical အသွင်ကူးပြောင်းမှုများကို ထည့်သွင်းနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာဆော့ဖ်ဝဲကို 100's nm သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော အလျားစကေးများရှိသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများကို မော်ဒယ်ပြုလုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ ဆော့ဖ်ဝဲလ်အတွင်းတွင်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများအတွင်း အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်များကို မော်ဒယ်ပို့ဆောင်ရန်အတွက် အင်တာဖေ့စ်များကဲ့သို့သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာညီမျှခြင်းများနှင့် နယ်နိမိတ်အခြေအနေများကို ဖော်ပြရန်အတွက် မော်ဒယ်ထည့်သွင်းမှုများကို လက်ခံရန်အတွက် ရူပဗေဒဆိုင်ရာ အင်တာဖေ့စ်များစွာပါရှိသည် - ကိရိယာများ။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကြားခံသည် Poisson ၏ညီမျှခြင်းကို အီလက်ထရွန်နှင့် hole charge carrier ပြင်းအားနှစ်ခုလုံးအတွက် အဆက်မပြတ်ညီမျှခြင်းများနှင့် တွဲဖက်ဖြေရှင်းပေးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် finite volume method သို့မဟုတ် finite element method ဖြင့် model တစ်ခုကို ဖြေရှင်းနိုင်သည်။ မျက်နှာပြင်တွင် ohmic အဆက်အသွယ်များအတွက် နယ်နိမိတ်အခြေအနေများ၊ Schottky အဆက်အသွယ်များ၊ ဂိတ်များနှင့် electrostatic နယ်နိမိတ်ဆိုင်ရာ ကျယ်ပြန့်သော အခြေအနေများအပြင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးခြင်းနှင့် လျှပ်ကာပစ္စည်းများအတွက် ပစ္စည်းမော်ဒယ်များ ပါဝင်သည်။ အင်တာဖေ့စ်အတွင်းရှိ အင်္ဂါရပ်များသည် ပစ္စည်းအတွင်း သယ်ဆောင်သူအား ဖြန့်ကျက်ခြင်းမှ ကန့်သတ်ထားသောကြောင့် ရွေ့လျားနိုင်မှု ပိုင်ဆိုင်မှုကို ဖော်ပြသည်။ ဆော့ဖ်ဝဲတူးလ်တွင် ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော ရွေ့လျားနိုင်မှု မော်ဒယ်များစွာနှင့် စိတ်ကြိုက်၊ အသုံးပြုသူသတ်မှတ်ထားသော ရွေ့လျားနိုင်မှု မော်ဒယ်များကို ဖန်တီးရန် ရွေးချယ်စရာများ ပါဝင်သည်။ ဤမော်ဒယ်နှစ်မျိုးလုံးကို မထင်သလို ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ ရွေ့လျားမှုပုံစံတစ်ခုစီသည် အထွက်အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်ရွေ့လျားမှုကို သတ်မှတ်သည်။ အထွက် ရွေ့လျားနိုင်မှုကို အခြားရွေ့လျားမှု မော်ဒယ်များသို့ ထည့်သွင်းမှုအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ညီမျှခြင်းများကို ရွေ့လျားမှု ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။ အင်တာဖေ့စ်တွင် Auger၊ Direct နှင့် Shockley-Read Hall တို့ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးခြင်းဒိုမိန်းတစ်ခုသို့ ပြန်လည်ပေါင်းစည်းရန် သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့၏ကိုယ်ပိုင်ပြန်လည်ပေါင်းစပ်နှုန်းကို သတ်မှတ်ခွင့်ပြုရန် အင်္ဂါရပ်များပါရှိသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ မော်ဒယ်ပုံစံအတွက် တားမြစ်ဆေးဖြန့်ဖြူးမှုကို သတ်မှတ်ရန် လိုအပ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဆော့ဖ်ဝဲလ်တူးလ်က ၎င်းကိုလုပ်ဆောင်ရန်အတွက် doping မော်ဒယ်အင်္ဂါရပ်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ အဆက်မပြတ်အဖြစ် ကျွန်ုပ်တို့သတ်မှတ်ထားသော doping ပရိုဖိုင်များကို သတ်မှတ်နိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် ခန့်မှန်းခြေ Gaussian doping ပရိုဖိုင်ကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ပြင်ပအရင်းအမြစ်များမှ ဒေတာများကိုလည်း တင်သွင်းနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဆော့ဖ်ဝဲလ်တူးလ်သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော Electrostatics စွမ်းရည်များကို ပေးဆောင်သည်။ Material database သည် ပစ္စည်းအများအပြားအတွက် ဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အတူ ရှိနေပါသည်။

 

လုပ်ငန်းစဉ် TCAD နှင့် စက်ပစ္စည်း TCAD

Technology Computer-Aided Design (TCAD) သည် semiconductor processing technologies နှင့် devices များ တီထွင်ဖန်တီးခြင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းအတွက် ကွန်ပျူတာ သရုပ်ဖော်ပုံများကို အသုံးပြုခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ တီထွင်ဖန်တီးမှုပုံစံကို Process TCAD ဟုခေါ်ပြီး စက်လည်ပတ်မှုပုံစံကို Device TCAD ဟုခေါ်သည်။ TCAD လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ပစ္စည်း သရုပ်ဖော်ကိရိယာများသည် CMOS၊ ပါဝါ၊ မှတ်ဉာဏ်၊ ရုပ်ပုံအာရုံခံကိရိယာများ၊ ဆိုလာဆဲလ်များ၊ နှင့် analog/RF စက်များကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သော အပလီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ဥပမာအနေဖြင့်၊ သင်သည် အလွန်ထိရောက်သော ရှုပ်ထွေးသော ဆိုလာဆဲလ်များကို တီထွင်ရန် စဉ်းစားနေပါက၊ စီးပွားဖြစ် TCAD ကိရိယာကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းက သင့်အား ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအချိန်ကို သက်သာစေနိုင်ပြီး စျေးကြီးသော အစမ်းဖန်တီးမှုအရေအတွက်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။ TCAD သည် နောက်ဆုံးတွင် စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အထွက်နှုန်းအပေါ် သက်ရောက်မှုရှိသော အခြေခံပိုင်းဆိုင်ရာ ဖြစ်စဉ်များကို ထိုးထွင်းသိမြင်စေပါသည်။ သို့သော်လည်း TCAD ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် ဆော့ဖ်ဝဲလ်ကိရိယာများကို ဝယ်ယူခြင်းနှင့် လိုင်စင်ထုတ်ပေးခြင်း၊ TCAD tool ကိုလေ့လာရန်အချိန်၊ နှင့် tool ကို ပိုမိုကျွမ်းကျင်ပြီး ကျွမ်းကျင်လာစေရန် လိုအပ်ပါသည်။ သင်သည် ဤဆော့ဖ်ဝဲလ်ကို စဉ်ဆက်မပြတ် သို့မဟုတ် ရေရှည်အခြေခံဖြင့် အသုံးမပြုပါက ၎င်းသည် အမှန်တကယ် ကုန်ကျစရိတ်နှင့် ခက်ခဲနိုင်သည်။ ဤကိစ္စများတွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် ဤကိရိယာများကို နေ့စဉ်နေ့တိုင်း အသုံးပြုနေသော ကျွန်ုပ်တို့၏ အင်ဂျင်နီယာများ၏ ဝန်ဆောင်မှုကို သင့်အား ကူညီပေးနိုင်သည် ။ နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

 

SEMICONDUCTOR လုပ်ငန်းစဉ် ဒီဇိုင်း

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုသည့် စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များစွာရှိသည်။ စျေးကွက်တွင်ကမ်းလှမ်းထားသော turn-key စနစ်တစ်ခုကိုအမြဲတမ်း ၀ ယ်ရန်စဉ်းစားရန်မလွယ်ကူသလို၊ ကောင်းသောအကြံဥာဏ်မဟုတ်ပါ။ ထည့်သွင်းစဉ်းစားထားသော အသုံးချပရိုဂရမ်နှင့် ပစ္စည်းများအပေါ် မူတည်၍ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအရင်းအနှီးပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းတစ်ခုတွင် ဂရုတစိုက်ရွေးချယ်ပြီး ပေါင်းစပ်ထားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူအတွက် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ဆောက်ရန်အတွက် အထူးပြုပြီး အတွေ့အကြုံရှိသော အင်ဂျင်နီယာများ လိုအပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ခြွင်းချက်လုပ်ငန်းစဉ်အင်ဂျင်နီယာများသည် သင့်ဘတ်ဂျက်နှင့်ကိုက်ညီသော ပုံတူပုံစံ သို့မဟုတ် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို ဒီဇိုင်းဆွဲခြင်းဖြင့် သင့်အား ကူညီနိုင်ပါသည်။ သင့်မျှော်မှန်းချက်များနှင့် ကိုက်ညီသည့် အသင့်တော်ဆုံး လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် စက်ကိရိယာများကို ရွေးချယ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့ ကူညီနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား အထူးစက်ကိရိယာများ၏ အားသာချက်များကို ရှင်းပြပြီး သင်၏ ပုံတူပုံတူပုံစံ သို့မဟုတ် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို ထူထောင်သည့် အဆင့်တစ်လျှောက်တွင် သင့်အား ကူညီပေးပါမည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား ကျွမ်းကျင်မှုဖြင့် လေ့ကျင့်ပေးနိုင်ပြီး သင့်လိုင်းကို လည်ပတ်ရန် အသင့်ဖြစ်စေပါသည်။ အားလုံးက မင်းရဲ့လိုအပ်ချက်တွေပေါ်မှာ မူတည်တယ်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကိစ္စရပ်တစ်ခုအလိုက် အကောင်းဆုံးဖြေရှင်းချက်ကို ပုံဖော်နိုင်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်အသုံးပြုသည့် အဓိကစက်ပစ္စည်းအမျိုးအစားအချို့မှာ photolithographic tools များ၊ deposition systems ၊ etching systems ၊ အမျိုးမျိုးသော test နှင့် characterization tools …… စသည်တို့ဖြစ်သည်။ ဤကိရိယာအများစုသည် လေးနက်သောရင်းနှီးမြုပ်နှံမှုများဖြစ်ပြီး ကော်ပိုရေးရှင်းများသည် မှားယွင်းသောဆုံးဖြတ်ချက်များကို သည်းမခံနိုင်ကြပေ။ အထူးသဖြင့် နာရီအနည်းငယ်ကြာသည်အထိ စက်ရပ်သွားသည့်တိုင် ပျက်ဆီးသွားနိုင်သည့် fabs များဖြစ်သည်။ များစွာသော စက်ရုံများတွင် ကြုံတွေ့နေရနိုင်သည့် စိန်ခေါ်မှုများထဲမှတစ်ခုမှာ ၎င်းတို့၏ စက်ရုံအခြေခံအဆောက်အအုံသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုင်ရာ စက်ကိရိယာများကို ထားရှိရန် သင့်လျော်ကြောင်း သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။ အခန်းသန့်ရှင်းရေး၏ လက်ရှိအဆင့်၊ လိုအပ်ပါက အခန်းသန့်ရှင်းရေးအဆင့်မြှင့်တင်ခြင်း၊ ဓာတ်အားနှင့် ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့လိုင်းများ စီစဉ်ပေးခြင်းအပါအဝင် စက်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် အစုလိုက်ကိရိယာကို တပ်ဆင်ခြင်းအတွက် ခိုင်မာသည့် ဆုံးဖြတ်ချက်မချမီ အများအပြားကို သေချာစွာ ပြန်လည်သုံးသပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ၊ လုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း….စသည်တို့။ ဤရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုများမ၀င်မီ ကျွန်ုပ်တို့နှင့် ဦးစွာစကားပြောပါ။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကျွမ်းကျင်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ Fab အင်ဂျင်နီယာများနှင့် မန်နေဂျာများမှ သင့်အစီအစဉ်များနှင့် ပရောဂျက်များကို ပြန်လည်သုံးသပ်ခြင်းသည် သင့်လုပ်ငန်းအတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေမည်ဖြစ်သည်။

 

ဆီမီးကွန်ပြူတာ ပစ္စည်းများနှင့် စက်များကို စမ်းသပ်ခြင်း။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာများကဲ့သို့ပင်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် QC သည် အထူးပြုစက်ပစ္စည်းများနှင့် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်မှု လိုအပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သီးခြားအသုံးချမှုအတွက် အကောင်းဆုံးနှင့် စီးပွားရေးအရှိဆုံးဖြစ်သည့် စမ်းသပ်မှုနှင့် တိုင်းတာမှုဆိုင်ရာ ကိရိယာအမျိုးအစားအပေါ် ကျွမ်းကျင်သူလမ်းညွှန်မှုနှင့် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးခြင်းဖြင့် ဤနယ်ပယ်ရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအား ဝန်ဆောင်မှုပေးခြင်း၊ သုံးစွဲသူ၏အဆောက်အအုံ၏ သင့်လျော်မှုကို ဆုံးဖြတ်ခြင်းနှင့် အတည်ပြုခြင်း…..စသည်တို့ဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းသော အခန်းတွင်း ညစ်ညမ်းမှုအဆင့်များ၊ ကြမ်းပြင်ပေါ်ရှိ တုန်ခါမှုများ၊ လေလည်ပတ်မှု လမ်းကြောင်းများ၊ လူများ၏ ရွေ့လျားမှု စသည်တို့။ အားလုံး ဂရုတစိုက်နဲ့ အကဲဖြတ်ဖို့ လိုပါတယ်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်၏နမူနာများကို လွတ်လပ်စွာ စမ်းသပ်နိုင်သည်၊ အသေးစိတ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်၊ ပျက်ကွက်ခြင်း၏ မူလဇစ်မြစ်ကို ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်...စသဖြင့်။ ပြင်ပကန်ထရိုက်ဝန်ဆောင်မှုပေးသူအဖြစ်။ ရှေ့ပြေးပုံစံစမ်းသပ်ခြင်းမှစကေးအပြည့်ထုတ်လုပ်ခြင်းအထိ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား စတင်ပစ္စည်းများ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုကိုသေချာစေရန်ကူညီနိုင်သည်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအချိန်ကိုလျှော့ချရန်နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်သည့်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အထွက်နှုန်းပြဿနာများကိုဖြေရှင်းပေးနိုင်ပါသည်။

 

ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အင်ဂျင်နီယာများသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် စက်ဒီဇိုင်းအတွက် အောက်ပါဆော့ဖ်ဝဲနှင့် သရုပ်ဖော်ကိရိယာများကို အသုံးပြုသည်-

• ANSYS RedHawk / Q3D Extractor / Totem / PowerArtist

• MicroTec SiDif / SemSim / SibGraf

• COMSOL Semiconductor Module

 

ကျွန်ုပ်တို့သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စက်ပစ္စည်းများကို တီထွင်စမ်းသပ်ရန် အဆင့်မြင့်ဓာတ်ခွဲခန်းသုံးပစ္စည်းများကို ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုနိုင်ပါသည်-

• Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)၊ ပျံသန်းချိန် SIMS (TOF-SIMS)

• Transmission Electron Microscopy – စကန်ဖတ်ခြင်း ဂီယာအီလက်ထရွန် အဏုစကုတ် (TEM-STEM)

• အီလက်ထရွန် အဏုကြည့်မှန်ပြောင်း (SEM)

• X-Ray Photoelectron Spectroscopy - ဓာတုဗေဒခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအတွက် Electron Spectroscopy (XPS-ESCA)

• Gel Permeation Chromatography (GPC)

• စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Liquid Chromatography (HPLC)

• Gas Chromatography – Mass Spectrometry (GC-MS)

• Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)

• Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS)

• Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (LA-ICP-MS)

• Liquid Chromatography Mass Spectrometry (LC-MS)

• Auger Electron Spectroscopy (AES)

• Energy Dispersive Spectroscopy (EDS)

• Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR)

• အီလက်ထရွန်စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု Spectroscopy (EELS)

• Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy (ICP-OES)

• ရာမန်

• X-Ray Diffraction (XRD)

• X-Ray Fluorescence (XRF)

• Atomic Force Microscopy (AFM)

• Dual Beam - Focused Ion Beam (Dual Beam - FIB)

• အီလက်ထရွန် Backscatter Diffraction (EBSD)

• Optical Profilometry

• အကြွင်းဓာတ်ငွေ့ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း (RGA) နှင့် အတွင်းပိုင်း ရေငွေ့ပါဝင်မှု

• ဓာတ်ငွေ့ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း (IGA)

• Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)

• စုစုပေါင်း Reflection X-Ray Fluorescence (TXRF)

• Specular X-Ray Reflectivity (XRR)

• Dynamic Mechanical Analysis (DMA)

• MIL-STD လိုအပ်ချက်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော အဖျက်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း (DPA)

• ကွဲပြားသော စကန်ဖတ်ခြင်း ကယ်လိုရီမီတာ (DSC)

• အပူချိန်တိုင်းတာမှု ဆန်းစစ်ခြင်း (TGA)

• အပူချိန်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း (TMA)

• အချိန်နှင့်တပြေးညီ ဓာတ်မှန် (RTX)

• Acoustic Microscopy (SAM) စကင်န်ဖတ်ခြင်း

• အီလက်ထရွန်းနစ် ဂုဏ်သတ္တိများကို အကဲဖြတ်ရန် စမ်းသပ်မှုများ

• ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ စမ်းသပ်မှုများ

• လိုအပ်သလို အခြားသော အပူဓာတ်စစ်ဆေးမှုများ

• Environmental Chambers, Aging Tests

 

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ၎င်းတို့ပြုလုပ်ထားသော စက်များတွင် ကျွန်ုပ်တို့လုပ်ဆောင်လေ့ရှိသော စမ်းသပ်မှုအချို့မှာ-

• ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များတွင် မျက်နှာပြင်သတ္တုများကို တိုင်းတာခြင်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေး၏ ထိရောက်မှုကို အကဲဖြတ်ခြင်း။

• ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများတွင် ခြေရာခံအဆင့် အညစ်အကြေးများနှင့် အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းမှုကို ဖော်ထုတ်ခြင်းနှင့် တည်နေရာရှာဖွေခြင်း။

• ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ၏ အထူ၊ သိပ်သည်းမှုနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုတို့ကို တိုင်းတာခြင်း။

• dopant ဆေးပမာဏနှင့် ပရိုဖိုင်ပုံသဏ္ဍာန်၏ လက္ခဏာရပ်များ၊ အမြောက်အများ အညစ်အကြေးများနှင့် အညစ်အကြေးများကို တွက်ချက်ခြင်း

• IC များ၏ အပိုင်းခွဲတည်ဆောက်ပုံကို စစ်ဆေးခြင်း။

• Electron Microscopy-Electron Energy Loss Spectroscopy (STEM-EELS) ကိုစကင်န်ဖတ်ခြင်းဖြင့် semiconductor microdevice ရှိ matrix element များကို နှစ်ဘက်မြင်မြေပုံဆွဲခြင်း

• Auger Electron Spectroscopy (FE-AES) ကို အသုံးပြု၍ အင်တာဖေ့စ်များတွင် ညစ်ညမ်းမှုကို ဖော်ထုတ်ခြင်း

• မျက်နှာပြင်ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်၏ ပုံရိပ်ယောင်နှင့် အရေအတွက် အကဲဖြတ်ခြင်း။

• wafer အခိုးအငွေ့နှင့်အရောင်ပြောင်းခြင်းကိုခွဲခြားသတ်မှတ်

• ATE အင်ဂျင်နီယာနှင့် ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် စမ်းသပ်ခြင်း။

• IC ကြံ့ခိုင်မှုကို သေချာစေရန် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်ကုန်၊ လောင်ကျွမ်းမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အရည်အသွေးကို စမ်းသပ်ခြင်း။