Permukaan meliputi segala-galanya dan syukur dengan teknologi hari ini, kami mempunyai banyak pilihan untuk merawat permukaan (secara kimia, fizikal...dsb.) dan mengubah suainya dengan cara yang berguna, dengan hasil yang diinginkan termasuk peningkatan lekatan salutan atau komponen pada permukaan, pengubahsuaian permukaan untuk membuat permukaan hidrofobik (pembasahan yang sukar), hidrofilik (mudah dibasahkan), antistatik, antibakteria atau antikulat, membolehkan pemangkinan heterogen, menjadikan fabrikasi peranti semikonduktor & sel bahan api & monolayer dipasang sendiri mungkin...dsb. Para saintis permukaan dan jurutera kami berpengalaman untuk membantu anda dalam usaha reka bentuk dan pembangunan permukaan komponen, subpemasangan dan produk siap anda. Kami mempunyai pengetahuan dan pengalaman untuk menentukan teknik yang hendak digunakan untuk menganalisis dan mengubah suai permukaan tertentu anda. Kami juga mempunyai akses kepada peralatan ujian yang paling canggih.

​

Kimia permukaan boleh ditakrifkan secara kasar sebagai kajian tindak balas kimia pada antara muka. Kimia permukaan berkait rapat dengan kejuruteraan permukaan, yang bertujuan untuk mengubah suai komposisi kimia permukaan dengan menggabungkan unsur atau kumpulan berfungsi terpilih yang menghasilkan pelbagai kesan atau penambahbaikan yang diingini dan berfaedah dalam sifat permukaan atau antara muka. Lekatan molekul gas atau cecair ke permukaan dikenali sebagai penjerapan. Ini boleh disebabkan oleh chemisorption atau oleh physisorption. Dengan menyesuaikan kimia permukaan, kita boleh mencapai penjerapan dan lekatan yang lebih baik. Kelakuan antara muka berasaskan penyelesaian dipengaruhi oleh cas permukaan, dipol, tenaga, dan taburannya dalam lapisan dua elektrik. Fizik permukaan mengkaji perubahan fizikal yang berlaku pada antara muka, dan bertindih dengan kimia permukaan. Beberapa perkara yang disiasat oleh fizik permukaan termasuk resapan permukaan, pembinaan semula permukaan, fonon permukaan dan plasmon, epitaksi dan hamburan Raman dipertingkat permukaan, pelepasan dan terowong elektron, spintronics, dan pemasangan sendiri struktur nano pada permukaan.

​

Kajian dan analisis permukaan kami melibatkan kedua-dua teknik analisis fizikal dan kimia. Beberapa kaedah moden menyiasat 1–10 nm paling atas permukaan yang terdedah kepada vakum. Ini termasuk spektroskopi fotoelektron sinar-X (XPS), spektroskopi elektron Auger (AES), pembelauan elektron tenaga rendah (LEED), spektroskopi kehilangan tenaga elektron (EELS), spektroskopi desorpsi terma (TDS), spektroskopi serakan ion (ISS), sekunder spektrometri jisim ion (SIMS), dan kaedah analisis permukaan lain termasuk dalam senarai kaedah analisis bahan. Kebanyakan teknik ini memerlukan vakum kerana ia bergantung pada pengesanan elektron atau ion yang dipancarkan dari permukaan yang dikaji. Teknik optik tulen boleh digunakan untuk mengkaji antara muka di bawah pelbagai keadaan. Inframerah penyerapan pantulan, Raman dipertingkatkan permukaan, dan spektroskopi penjanaan frekuensi jumlah boleh digunakan untuk menyiasat permukaan pepejal-vakum serta gas pepejal, pepejal-cecair dan gas cecair. Kaedah analisis fizikal moden termasuk mikroskopi terowong pengimbasan (STM) dan keluarga kaedah yang diturunkan daripadanya. Mikroskopi ini telah meningkatkan keupayaan dan keinginan saintis permukaan dengan ketara untuk mengukur struktur fizikal permukaan.

​

Beberapa perkhidmatan yang kami tawarkan untuk analisis permukaan, ujian, pencirian dan pengubahsuaian ialah:

• Pengujian dan pencirian permukaan menggunakan sejumlah besar teknik kimia, fizikal, mekanikal, optik (lihat senarai di bawah)

• Pengubahsuaian permukaan menggunakan teknik yang sesuai seperti hidrolisis nyalaan, rawatan permukaan plasma, pemendapan lapisan berfungsi….dll.

• Pembangunan proses untuk analisis permukaan, ujian, pembersihan permukaan dan pengubahsuaian

• Pemilihan, perolehan, pengubahsuaian pembersihan permukaan, peralatan rawatan dan pengubahsuaian, peralatan proses dan pencirian

• Kejuruteraan songsang permukaan dan antara muka

• Pelucutan & penyingkiran struktur dan salutan filem nipis yang gagal untuk menganalisis permukaan asas untuk menentukan punca.

• Perkhidmatan saksi dan litigasi pakar

• Perkhidmatan perundingan

 

Kami menjalankan kerja kejuruteraan pada pengubahsuaian permukaan untuk pelbagai aplikasi, termasuk:

• Pembersihan permukaan dan penghapusan kekotoran yang tidak diingini

• Meningkatkan lekatan salutan dan substrat

• Membuat permukaan hidrofobik atau hidrofilik

• Menjadikan permukaan antistatik atau statik

• Membuat permukaan magnet

• Menambah atau mengurangkan kekasaran permukaan pada skala mikro dan nano.

• Membuat permukaan antikulat dan antibakteria

• Mengubah suai permukaan untuk membolehkan pemangkinan heterogen

• Mengubah suai permukaan dan antara muka untuk membersihkan, melegakan tekanan, menambah baik lekatan...dsb. untuk membolehkan fabrikasi peranti semikonduktor berbilang lapisan, sel bahan api & lapisan tunggal dipasang sendiri mungkin.

 

Seperti yang dinyatakan di atas, kami mempunyai akses kepada pelbagai peralatan ujian dan pencirian konvensional dan lanjutan yang digunakan dalam analisis bahan termasuk kajian permukaan, antara muka dan salutan:

​

• Goniometri untuk pengukuran sudut sentuhan pada permukaan

• Spektrometri Jisim Ion Sekunder (SIMS), Masa Penerbangan SIMS (TOF-SIMS)

• Mikroskopi Elektron Penghantaran – Mengimbas Mikroskopi Elektron Penghantaran (TEM-STEM)

• Mengimbas Mikroskopi Elektron (SEM)

• Spektroskopi Fotoelektron X-Ray – Spektroskopi Elektron untuk analisis Kimia (XPS-ESCA)

• Spektrofotometri

• Spektrometri

• Ellipsometri

• Reflectometry spektroskopi

• Glosmeter

• Interferometri

• Kromatografi Peresapan Gel (GPC)

• Kromatografi Cecair Berprestasi Tinggi (HPLC)

• Kromatografi Gas – Spektrometri Jisim (GC-MS)

• Spektrometri Jisim Plasma Berganding Secara Induktif (ICP-MS)

• Spektrometri Jisim Pelepasan Cahaya (GDMS)

• Ablasi Laser Digandingkan Secara Induktif Spektrometri Jisim Plasma (LA-ICP-MS)

• Spektrometri Jisim Kromatografi Cecair (LC-MS)

• Spektroskopi Elektron Auger (AES)

• Spektroskopi Penyebaran Tenaga (EDS)

• Spektroskopi Inframerah Transformasi Fourier (FTIR)

• Spektroskopi Kehilangan Tenaga Elektron (EELS)

• Pembelauan elektron tenaga rendah (LEED)

• Spektroskopi Pelepasan Optik Plasma Berganding Secara Induktif (ICP-OES)

• Raman

• Pembelauan X-Ray (XRD)

• Pendarfluor X-Ray (XRF)

• Mikroskopi Daya Atom (AFM)

• Rasuk Dwi - Rasuk Ion Berfokus (Rasuk Dwi – FIB)

• Belauan Hambur Belakang Elektron (EBSD)

• Profilometri Optik

• Profilometri Stylus

• Ujian Microscratch

• Analisis Gas Sisa (RGA) & Kandungan Wap Air Dalaman

• Analisis Gas Instrumen (IGA)

• Rutherford Backscattering Spectrometri (RBS)

• Jumlah Pantulan X-Ray Pendarfluor (TXRF)

• Pemantulan X-Ray Spekular (XRR)

• Analisis Mekanikal Dinamik (DMA)

• Analisis Fizikal Memusnahkan (DPA) mematuhi keperluan MIL-STD

• Kalorimetri Pengimbasan Berbeza (DSC)

• Analisis Termogravimetrik (TGA)

• Analisis Termomekanikal (TMA)

• Spektroskopi desorpsi terma (TDS)

• X-Ray Masa Nyata (RTX)

• Mengimbas Mikroskopi Akustik (SAM)

• Mikroskopi pengimbasan-terowong (STM)

• Ujian untuk menilai sifat elektronik

• Pengukuran Rintangan Lembaran & Anisotropi & Pemetaan & Kehomogenan

• Pengukuran Kekonduksian

• Ujian Fizikal & Mekanikal seperti Pengukuran Tekanan Filem Nipis

• Ujian Terma Lain Mengikut Keperluan

• Bilik Alam Sekitar, Ujian Penuaan