SEMICONDUCTOR MATERIAL DESIGN

Endezyarên sêwirana materyalê nîvconductor me modulên nermalava taybetî bikar tînin ku ji bo analîzkirina xebata cîhaza nîvconductor di asta fizîkî ya bingehîn de amûrên veqetandî peyda dikin. Modulên weha li ser bingeha hevkêşeyên drift-difuzyonê têne çêkirin, ku modelên veguheztina îzotermîk an ne-termal bikar tînin. Amûrên nermalava bi vî rengî ji bo simulkirina cûrbecûr amûrên pratîkî bikêr in, di nav de transîstorên dupolar (BJT), transîstorên bandora zeviyê yên metal-nîvconductor (MESFET), transîstorên bandora zeviyê ya metal-oksît-nîvconductor (MOSFET), transîstorên dupolar-dergeh-vegirtî ( IGBT), diodên Schottky, û girêdanên PN. Bandorên pirfizîkî di performansa cîhaza nîvconductor de rolek girîng dileyzin. Bi van amûrên nermalava hêzdar re, em dikarin bi hêsanî modelên ku bi gelek bandorên laşî ve girêdayî ne biafirînin. Mînakî, bandorên germî yên di hundurê amûrek hêzê de dikare bi karanîna navgînek fizîkî ya veguheztina germê were simul kirin. Veguheztinên optîkî dikarin werin tevlê kirin da ku cûrbecûr cîhazên wekî hucreyên rojê, dîodên ronahiyê (LED) û fotodîod (PD) simul bikin. Nermalava meya nîvconductor ji bo modelkirina amûrên nîvconductor bi pîvanên dirêjahiya 100 nm an jî zêdetir tê bikar anîn. Di nav nermalavê de, hejmarek navgînên fizîkî hene - amûrên ji bo wergirtina têketinên modelê ji bo danasîna komek hevkêşeyên laşî û mercên sînor, wek navberên ji bo modelkirina veguheztina elektron û kunên di cîhazên nîvconductor de, tevgera wan a elektrostatîk…hwd. Têkiliya nîvconductor hevkêşana Poisson bi hevkêşeyên berdewamiyê re hem ji bo kombûna bargiraniya elektron û hem jî ya qulikê bi eşkere çareser dike. Em dikarin çareseriya modelek bi rêbaza volta dawî an jî bi rêbaza hêmanên bêdawî hilbijêrin. Di navberê de modelên materyalê yên ji bo materyalên nîv-rêvebir û îzolekirinê, ji bilî şert û mercên sînor ên ji bo têkiliyên ohmîkî, têkiliyên Schottky, dergeh, û cûrbecûr şert û mercên sînorê elektrostatîk vedihewîne. Taybetmendiyên di hundurê navberê de taybetmendiya tevgerê diyar dikin ji ber ku ew ji hêla belavbûna hilgirên di hundurê materyalê de sînorkirî ye. Amûra nermalavê çend modelên tevgerê yên pêşwextkirî û vebijarka afirandina modelên gerîdeya xwerû, ji hêla bikarhêner ve hatî destnîşan kirin vedihewîne. Van her du modelan dikarin bi awayên kêfî werin berhev kirin. Her modela tevgerê elektronek derketinê û tevgerek qulikê diyar dike. Tevgera derketinê dikare wekî têketinek ji modelên din ên tevgerê re were bikar anîn, dema ku hevkêşî dikare ji bo tevhevkirina tevgerê were bikar anîn. Navber di heman demê de taybetmendiyan vedihewîne da ku ji nûvekombînasyona Auger, Direct, û Shockley-Read Hall li domanek nîvconductor zêde bike, an jî destûrê dide ku rêjeya ji nûvehevkirina meya xwe diyar bike. Pêdivî ye ku belavkirina dopîngê ji bo modelkirina amûrên nîvconductor were diyar kirin. Amûra nermalava me ji bo vê yekê taybetmendiyek modela dopîngê peyda dike. Profîlên domdar û dopîngê yên ku ji hêla me ve hatine destnîşankirin dikarin bêne diyar kirin, an jî profîlek dopîngê ya Gaussian ya texmînî dikare were bikar anîn. Em dikarin daneyan ji çavkaniyên derve jî bînin. Amûra nermalava me kapasîteyên Elektrostatîk ên pêşkeftî pêşkêşî dike. Databasa materyalê bi taybetmendiyên çend materyalan heye.

 

PÊVAJOYA TCAD û DEVICE TCAD

Teknolojiya Sêwirana Komputer-Aided (TCAD) bi karanîna simulasyonên komputerê yên pêşkeftin û xweşbînkirina teknolojiyên û amûrên hilberîna nîvconductor vedibêje. Ji modela çêkirinê re Process TCAD tê binavkirin, dema ku modela xebata cîhazê wekî Device TCAD tê gotin. Pêvajoya TCAD û amûrên simulasyona cîhazê gelek sepanên wekî CMOS, hêz, bîranîn, senzorên wêneyê, hucreyên rojê, û amûrên analog/RF piştgirî dikin. Mînakî, heke hûn difikirin ku hucreyên tavê yên tevlihev ên pir bikêr pêş bixin, nihêrîna amûrek TCAD-a bazirganî dikare we dema pêşkeftinê xilas bike û hejmara ceribandinên ceribandina biha kêm bike. TCAD di derheqê fenomenên laşî yên bingehîn de ku di dawiyê de bandorê li performans û hilberînê dike, têgihiştinek peyda dike. Lêbelê, karanîna TCAD hewce dike ku kirîn û lîsansa amûrên nermalavê, wextê fêrbûna amûrê TCAD-ê, û hêj bêtir bi amûrê re bibe profesyonel û jêhatî. Heke hûn ê vê nermalavê li ser bingehek domdar an demdirêj bikar neynin ev dikare bi rastî biha û dijwar be. Di van rewşan de em dikarin ji we re bibin alîkar ku hûn karûbarê endezyarên xwe yên ku rojane van amûran bikar tînin pêşkêş bikin. Ji bo bêtir agahdarî bi me re têkilî daynin.

 

PÊVAJOYA SEMICONDUCTOR DESIGN

Gelek celeb amûr û pêvajoyên ku di pîşesaziya nîvconductor de têne bikar anîn hene. Ne hêsan e û ne jî ramanek baş e ku meriv her gav meriv li ser kirîna pergalek zivirîna ku li sûkê tê pêşkêş kirin bifikirin. Li gorî serîlêdan û materyalên ku têne hesibandin, pêdivî ye ku alavên sermayê yên nîvconductor bi baldarî werin hilbijartin û di xetek hilberînê de werin yek kirin. Endezyarên pir pispor û bi ezmûn hewce ne ku ji bo hilberînerek cîhaza nîvconductor xetek hilberînê ava bikin. Endezyarên me yên pêvajoyê yên awarte dikarin bi sêwirana xetek prototîp an hilberîna girseyî ya ku li gorî budçeya we tê de ji we re bibin alîkar. Em dikarin ji we re bibin alîkar ku hûn pêvajo û amûrên herî maqûl ên ku hêviyên we bicîh tîne hilbijêrin. Em ê avantajên alavên taybetî ji we re rave bikin û di seranserê qonaxên damezrandina xeta prototîp an hilberîna girseyî de ji we re bibin alîkar. Em dikarin we li ser zanînê perwerde bikin û we amade bikin ku hûn xeta xwe bixebitînin. Ew hemî li ser hewcedariyên we ve girêdayî ye. Em dikarin çareseriya herî baş li ser bingeha dozê formule bikin. Hin cûreyên sereke yên alavên ku di çêkirina cîhaza nîvconductor de têne bikar anîn amûrên fotolîtografî, pergalên depokirinê, pergalên guheztinê, amûrên cûrbecûr ceribandin û karakterîzekirinê……hwd. Piraniya van amûran veberhênanên ciddî ne û pargîdanî nekarin biryarên xelet tehamul bikin, nemaze fabrîkên ku tewra çend demjimêrên domdar jî dikare wêranker be. Yek ji wan kêşeyên ku dibe ku gelek sazî rû bi rû bibin ev e ku pê ewle bibin ku binesaziya nebatê wan guncan e ku amûrên pêvajoya nîvconductor bicîh bîne. Berî girtina biryarek hişk li ser sazkirina amûrek taybetî an amûrek komê, di nav de asta heyî ya jûreya paqij, nûvekirina jûreya paqij heke hewce bike, plansazkirina xetên gazê yên hêz û pêşîn, ergonomî, ewlehî, pir pêdivî ye ku bi baldarî were vekolandin. , optimîzasyona xebitandinê….hwd. Berî ku hûn têkevin van veberhênanan pêşî ji me re bipeyivin. Ku plan û projeyên we ji hêla endezyar û rêvebirên meyên fabrîkî yên nîvconduktorê yên demsalî ve werin vekolandin dê tenê bi erênî beşdarî hewildanên karsaziya we bibe.

 

TESTÎNA MADÊR Û CAMÛRÊN NIVEKAN

Mîna teknolojiyên hilberandina nîvconductor, ceribandin û QC ya materyal û amûrên nîvconductor hewceyê alavên pir pispor û zanîna endezyariyê hewce dike. Em di vî warî de ji xerîdarên xwe re xizmet dikin bi rênîşandana pispor û şêwirmendiyê li ser celebê alavên ceribandin û metrolojiyê yên ku ji bo serîlêdanek taybetî çêtirîn û herî aborî ye, destnîşankirin û verastkirina guncawbûna binesaziya li cîhê xerîdar…..hwd. Asta qirêjiya odeya paqij, lerzînên li ser erdê, rêwerzên gera hewayê, tevgera mirovan,… hwd. divê hemû bi baldarî bên nirxandin û nirxandin. Di heman demê de em dikarin nimûneyên we serbixwe biceribînin, analîzek berfireh peyda bikin, sedema bingehîn a têkçûnê diyar bikin…hwd. wekî pêşkêşkerek karûbarê peymana derveyî. Ji ceribandina prototîpê bigire heya hilberîna pîvana tevahî, em dikarin ji we re bibin alîkar ku hûn paqijiya materyalên destpêkê bicîh bikin, em dikarin alîkariya kêmkirina dema pêşkeftinê bikin û pirsgirêkên hilberînê di hawîrdora hilberîna nîvconductor de çareser bikin.

 

Endezyarên me yên nîvconductor ji bo pêvajoya nîvconductor û sêwirana cîhazê nermalava jêrîn û amûrên simulasyonê bikar tînin:

• ANSYS RedHawk / Q3D Extractor / Totem / PowerArtist

• MicroTec SiDif / SemSim / SibGraf

• COMSOL Semiconductor Module

 

Em gihîştina cûrbecûr alavên laboratîfên pêşkeftî hene ku ji bo pêşvebirin û ceribandina materyal û amûrên nîvconductor, di nav de:

• Spektrometriya Komkujiya Iyona Duyemîn (SIMS), Dema Firînê SIMS (TOF-SIMS)

• Mîkroskopa Elektronî ya Veguhastinê - Mîkroskopa Elektronî ya Veguhastina Veguhastinê (TEM-STEM)

• Mîkroskopiya Elektronî ya Venêrînê (SEM)

• Spectroscopy Fotoelektronê X-Ray - Spektroskopiya Elektronî ya ji bo analîza Kîmyewî (XPS-ESCA)

• Kromatografiya Permeation Gel (GPC)

• Kromatografiya Hêvî ya Performansa Bilind (HPLC)

• Kromatografiya Gazê - Spectrometiya Komkujî (GC-MS)

• Spectrometrya Komkujî ya Plazmaya Bi Induktîf Coupled (ICP-MS)

• Spectrometra Komkujî ya Rakêşana Glow (GDMS)

• Laser Ablation Spektrometriya Komkujî ya Plazmaya Bi Induktîfî (LA-ICP-MS)

• Kromatografiya Hêvî (LC-MS)

• Auger Electron Spectroscopy (AES)

• Spectroscopy Belavkirina Enerjiyê (EDS)

• Spectroscopy Infrared Veguherîna Fourier (FTIR)

• Spektroskopiya Wendabûna Enerjiya Elektronê (EELS)

• Spektroskopiya Weşana Optîkî ya Plasmaya Bi Induktîf (ICP-OES)

• Raman

• X-Ray Diffraction (XRD)

• X-Ray Fluorescence (XRF)

• Mîkroskopiya Hêza Atomî (AFM)

• Tîrêja Dualî - Tîrêjê Iyonê yê Focused (Dual Beam - FIB)

• Difraksîyona Vegerandina Elektronê (EBSD)

• Profilometrîya optîkî

• Analîza Gaza Bermayî (RGA) & Naveroka Vapora Avê ya Navxweyî

• Analîza Gazê ya Amûrî (IGA)

• Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)

• Refleksiyona Tevahiya Fluorescence ya Tîrêja X (TXRF)

• Reflektîfa tîrêjê ya X-Rê ya Spekuler (XRR)

• Analyza Mekanîkî ya Dînamîk (DMA)

• Analîza Fîzîkî ya Wêranker (DPA) bi daxwazên MIL-STD-ê re têkildar e

• Calorimetry Scanning Differential (DSC)

• Analîza Termogravimetrîk (TGA)

• Analîza Termomekanîkî (TMA)

• Raya X-Rê ya Rastî (RTX)

• Mîkroskopiya Acoustic Acoustic (SAM)

• Testên ku taybetmendiyên elektronîkî binirxînin

• Testên Fîzîkî û Mekanîkî

• Wekî ku Pêdivî ye Testên Termal ên Din

• Odeyên Jîngehê, Testên Pîrbûnê

 

Hin ceribandinên hevpar ên ku em li ser nîvconductor û amûrên ku ji wan hatine çêkirin pêk tînin ev in:

• Nirxandina karîgeriya paqijkirinê bi hejmartina metalên rûkal ên li ser waferên nîvconductor

• Naskirin û cîhgirtina nepakîyên asta şopê û gemariya parçikan di cîhazên nîvconductor de

• Pîvandina qalindî, dendikî û pêkhatina fîlimên tenik

• Taybetmendiya dozaja dopant û şeklê profîlê, pîvandina dopan û nepakiyên mezin

• Muayeneya avahiya xaça-beşê ya ICs

• Nexşeya du-alî ya hêmanên matrixê di mîkrodevîzek nîvconductor de ji hêla Mîkroskopa Veguhastina Elektronê ya Veguhastinê ve-Spectroskopiya Wendabûna Enerjiya Elektronê (STEM-EELS)

• Nasnameya gemariyê li navberan bi karanîna Auger Electron Spectroscopy (FE-AES)

• Dîtin û nirxandina mîqdar a morfolojiya rûkalê

• Naskirina şilbûna wafer û rengvedanê

• Endezyariya ATE û ceribandina ji bo hilberîn û pêşkeftinê

• Ceribandina hilbera nîvconductor, kalîteya şewitandinê û pêbaweriyê ji bo piştrastkirina fitneya IC