તમારી ભાષા પસંદ કરો
એજીએસ-એન્જિનિયરિંગ
ઇમેઇલ: projects@ags-engineering.com
ફોન:505-550-6501/505-565-5102(યૂુએસએ)
સ્કાયપે: agstech1
SMS Messaging: 505-796-8791 (USA)
ફેક્સ: 505-814-5778 (યુએસએ)
વોટ્સેપ:(505) 550-6501
એન્જિનિયરિંગ કન્સલ્ટિંગ, ડિઝાઇન, પ્રોડક્ટ અને પ્રોસેસ ડેવલપમેન્ટ અને વધુ માટે મલ્ટિડિસિપ્લિનરી અભિગમ
સપાટીની સારવાર અને ફેરફાર - કન્સલ્ટિંગ, ડિઝાઇન અને વિકાસ
સપાટીઓ દરેક વસ્તુને આવરી લે છે અને આભારની વાત એ છે કે આજની ટેક્નોલોજી સાથે અમારી પાસે સપાટીઓ (રાસાયણિક રીતે, ભૌતિક રીતે...વગેરે) ની સારવાર કરવા અને તેને ઉપયોગી રીતે સંશોધિત કરવા માટે ઘણા વિકલ્પો છે, જેમાં ઇચ્છિત પરિણામોનો સમાવેશ થાય છે, જેમાં સપાટીઓ પર કોટિંગ્સ અથવા ઘટકોના સંલગ્નતામાં વધારો, સપાટીઓ બનાવવા માટે સપાટીમાં ફેરફારનો સમાવેશ થાય છે. હાઇડ્રોફોબિક (મુશ્કેલ ભીનાશ), હાઇડ્રોફિલિક (સરળ ભીનાશ), એન્ટિસ્ટેટિક, એન્ટિબેક્ટેરિયલ અથવા એન્ટિફંગલ, વિજાતીય ઉત્પ્રેરકને સક્ષમ કરે છે, સેમિકન્ડક્ટર ડિવાઇસ ફેબ્રિકેશન અને ઇંધણ કોષો અને સ્વ-એસેમ્બલ મોનોલેયર્સ શક્ય બનાવે છે... વગેરે. અમારા સપાટીના વૈજ્ઞાનિકો અને એન્જિનિયરો તમારા ઘટકો, સબસેમ્બલી અને ફિનિશ્ડ પ્રોડક્ટ સપાટીઓની ડિઝાઇન અને વિકાસના પ્રયાસોમાં તમને મદદ કરવા માટે સારી રીતે અનુભવી છે. તમારી ચોક્કસ સપાટીનું વિશ્લેષણ કરવા અને તેને સંશોધિત કરવા માટે કઈ તકનીકોનો ઉપયોગ કરવો તે નક્કી કરવા માટે અમારી પાસે જ્ઞાન અને અનુભવ છે. અમારી પાસે સૌથી અદ્યતન પરીક્ષણ સાધનોની ઍક્સેસ પણ છે.
સપાટી રસાયણશાસ્ત્રને આશરે ઇન્ટરફેસ પર રાસાયણિક પ્રતિક્રિયાઓના અભ્યાસ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરી શકાય છે. સપાટીની રસાયણશાસ્ત્ર સપાટીના ઇજનેરી સાથે ગાઢ રીતે સંબંધિત છે, જેનો હેતુ સપાટી અથવા ઇન્ટરફેસના ગુણધર્મોમાં વિવિધ ઇચ્છિત અને ફાયદાકારક અસરો અથવા સુધારાઓ ઉત્પન્ન કરતા પસંદ કરેલા તત્વો અથવા કાર્યાત્મક જૂથોને સમાવીને સપાટીની રાસાયણિક રચનામાં ફેરફાર કરવાનો છે. સપાટી પર ગેસ અથવા પ્રવાહી પરમાણુઓના સંલગ્નતાને શોષણ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. આ કેમિસોર્પ્શન અથવા ફિઝીસોર્પ્શનને કારણે હોઈ શકે છે. સપાટીના રસાયણશાસ્ત્રને અનુરૂપ બનાવીને, અમે વધુ સારી રીતે શોષણ અને સંલગ્નતા પ્રાપ્ત કરી શકીએ છીએ. સોલ્યુશન આધારિત ઇન્ટરફેસની વર્તણૂક સપાટીના ચાર્જ, દ્વિધ્રુવો, ઊર્જા અને ઇલેક્ટ્રિકલ ડબલ લેયરમાં તેમના વિતરણથી પ્રભાવિત થાય છે. સરફેસ ફિઝિક્સ ઈન્ટરફેસ પર થતા ભૌતિક ફેરફારોનો અભ્યાસ કરે છે અને સપાટીના રસાયણશાસ્ત્ર સાથે ઓવરલેપ થાય છે. સપાટીના ભૌતિકશાસ્ત્ર દ્વારા તપાસવામાં આવેલી કેટલીક બાબતોમાં સપાટીના પ્રસાર, સપાટીનું પુનઃનિર્માણ, સપાટીના ફોનોન્સ અને પ્લાઝમોન્સ, એપિટાક્સી અને સરફેસ એન્હાન્સ્ડ રમન સ્કેટરિંગ, ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અને ટનલિંગ, સ્પિનટ્રોનિક્સ અને સપાટી પર નેનોસ્ટ્રક્ચર્સની સ્વ-એસેમ્બલીનો સમાવેશ થાય છે.
સપાટીઓના અમારા અભ્યાસ અને વિશ્લેષણમાં ભૌતિક અને રાસાયણિક વિશ્લેષણ તકનીકો બંનેનો સમાવેશ થાય છે. કેટલીક આધુનિક પદ્ધતિઓ શૂન્યાવકાશના સંપર્કમાં આવતી સપાટીઓની ટોચની 1-10 nm ની તપાસ કરે છે. આમાં એક્સ-રે ફોટોઈલેક્ટ્રોન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (XPS), Auger ઈલેક્ટ્રોન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (AES), લો-એનર્જી ઈલેક્ટ્રોન ડિફ્રેક્શન (LEED), ઈલેક્ટ્રોન એનર્જી લોસ સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (EELS), થર્મલ ડિસોર્પ્શન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (TDS), આયન સ્કેટરિંગ સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (ISS), સેકન્ડરીનો સમાવેશ થાય છે. આયન માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (SIMS), અને અન્ય સપાટી વિશ્લેષણ પદ્ધતિઓ સામગ્રી વિશ્લેષણ પદ્ધતિઓની સૂચિમાં શામેલ છે. આમાંની ઘણી તકનીકોને શૂન્યાવકાશની જરૂર છે કારણ કે તેઓ અભ્યાસ હેઠળની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન અથવા આયનોની શોધ પર આધાર રાખે છે. સંપૂર્ણ રીતે ઓપ્ટિકલ તકનીકોનો ઉપયોગ વિવિધ પરિસ્થિતિઓ હેઠળ ઇન્ટરફેસનો અભ્યાસ કરવા માટે થઈ શકે છે. પ્રતિબિંબ-શોષણ ઇન્ફ્રારેડ, સપાટી ઉન્નત રામન અને સમ ફ્રિક્વન્સી જનરેશન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપીનો ઉપયોગ સોલિડ-વેક્યુમ તેમજ સોલિડ-ગેસ, સોલિડ-લિક્વિડ અને લિક્વિડ-ગેસ સપાટીની તપાસ કરવા માટે થઈ શકે છે. આધુનિક ભૌતિક વિશ્લેષણ પદ્ધતિઓમાં સ્કેનિંગ-ટનલિંગ માઇક્રોસ્કોપી (STM) અને તેમાંથી ઉતરી આવેલી પદ્ધતિઓનો પરિવારનો સમાવેશ થાય છે. આ માઇક્રોસ્કોપીઓએ સપાટીની ભૌતિક રચનાને માપવા માટે સપાટીના વૈજ્ઞાનિકોની ક્ષમતા અને ઇચ્છામાં નોંધપાત્ર વધારો કર્યો છે.
સપાટીના વિશ્લેષણ, પરીક્ષણ, પાત્રાલેખન અને ફેરફાર માટે અમે જે સેવાઓ પ્રદાન કરીએ છીએ તેમાંની કેટલીક આ છે:
-
મોટી સંખ્યામાં રાસાયણિક, ભૌતિક, યાંત્રિક, ઓપ્ટિકલ તકનીકોનો ઉપયોગ કરીને સપાટીઓનું પરીક્ષણ અને લાક્ષણિકતા (નીચેની સૂચિ જુઓ)
-
ફ્લેમ હાઇડ્રોલિસિસ, પ્લાઝ્મા સરફેસ ટ્રીટમેન્ટ, ફંક્શનલ લેયર્સનું ડિપોઝિશન….વગેરે જેવી યોગ્ય તકનીકોનો ઉપયોગ કરીને સપાટીઓમાં ફેરફાર.
-
સપાટી વિશ્લેષણ, પરીક્ષણ, સપાટીની સફાઈ અને ફેરફાર માટે પ્રક્રિયા વિકાસ
-
પસંદગી, પ્રાપ્તિ, સપાટીની સફાઈમાં ફેરફાર, સારવાર અને ફેરફાર સાધનો, પ્રક્રિયા અને લાક્ષણિકતા સાધનો
-
સપાટીઓ અને ઇન્ટરફેસનું વિપરીત એન્જિનિયરિંગ
-
મૂળ કારણ નક્કી કરવા માટે અંતર્ગત સપાટીઓનું વિશ્લેષણ કરવા નિષ્ફળ પાતળા ફિલ્મ સ્ટ્રક્ચર્સ અને કોટિંગ્સને ઉતારવા અને દૂર કરવા.
-
નિષ્ણાત સાક્ષી અને મુકદ્દમા સેવાઓ
-
કન્સલ્ટિંગ સેવાઓ
અમે વિવિધ એપ્લિકેશનો માટે સપાટીના ફેરફાર પર એન્જિનિયરિંગ કાર્ય હાથ ધરીએ છીએ, જેમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે:
-
સપાટીઓની સફાઈ અને અનિચ્છનીય અશુદ્ધિઓ દૂર કરવી
-
કોટિંગ્સ અને સબસ્ટ્રેટ્સના સંલગ્નતામાં સુધારો
-
સપાટીને હાઇડ્રોફોબિક અથવા હાઇડ્રોફિલિક બનાવવી
-
સપાટીને એન્ટિસ્ટેટિક અથવા સ્થિર બનાવવી
-
સપાટીઓને ચુંબકીય બનાવવી
-
માઇક્રો અને નેનો સ્કેલ પર સપાટીની રફનેસમાં વધારો અથવા ઘટાડો.
-
સપાટીને એન્ટિફંગલ અને એન્ટીબેક્ટેરિયલ બનાવવી
-
વિજાતીય ઉત્પ્રેરકને સક્ષમ કરવા માટે સપાટીઓને સંશોધિત કરવી
-
સફાઈ માટે સપાટીઓ અને ઈન્ટરફેસને સંશોધિત કરવા, તાણ દૂર કરવા, સંલગ્નતા સુધારવા... વગેરે. મલ્ટિલેયર સેમિકન્ડક્ટર ડિવાઇસ ફેબ્રિકેશનને શક્ય બનાવવા માટે, ફ્યુઅલ સેલ અને સેલ્ફ-એસેમ્બલ મોનોલેયર્સ શક્ય છે.
ઉપર જણાવ્યા મુજબ, અમારી પાસે પરંપરાગત અને અદ્યતન પરીક્ષણ અને લાક્ષણિકતા સાધનોની વિશાળ શ્રેણીની ઍક્સેસ છે જેનો ઉપયોગ સપાટીઓ, ઇન્ટરફેસ અને કોટિંગ્સના અભ્યાસ સહિત સામગ્રી વિશ્લેષણમાં થાય છે:
-
સપાટીઓ પર સંપર્ક કોણ માપન માટે ગોનિઓમેટ્રી
-
સેકન્ડરી આયન માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (SIMS), ફ્લાઇટનો સમય SIMS (TOF-SIMS)
-
ટ્રાન્સમિશન ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપી - સ્કેનિંગ ટ્રાન્સમિશન ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપી (TEM-STEM)
-
સ્કેનિંગ ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપી (SEM)
-
એક્સ-રે ફોટોઇલેક્ટ્રોન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી - રાસાયણિક વિશ્લેષણ માટે ઇલેક્ટ્રોન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (XPS-ESCA)
-
સ્પેક્ટ્રોફોટોમેટ્રી
-
સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી
-
એલિપ્સોમેટ્રી
-
સ્પેક્ટ્રોસ્કોપિક રિફ્લેક્ટોમેટ્રી
-
ગ્લોસમીટર
-
ઇન્ટરફેરોમેટ્રી
-
જેલ પરમીએશન ક્રોમેટોગ્રાફી (GPC)
-
હાઇ પર્ફોર્મન્સ લિક્વિડ ક્રોમેટોગ્રાફી (HPLC)
-
ગેસ ક્રોમેટોગ્રાફી - માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (GC-MS)
-
ઇન્ડક્ટિવલી કપલ્ડ પ્લાઝ્મા માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (ICP-MS)
-
ગ્લો ડિસ્ચાર્જ માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (GDMS)
-
લેસર એબ્લેશન ઇન્ડક્ટિવલી કપલ્ડ પ્લાઝ્મા માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (LA-ICP-MS)
-
લિક્વિડ ક્રોમેટોગ્રાફી માસ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (LC-MS)
-
Auger ઇલેક્ટ્રોન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (AES)
-
એનર્જી ડિસ્પર્સિવ સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (EDS)
-
ફોરિયર ટ્રાન્સફોર્મ ઇન્ફ્રારેડ સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (FTIR)
-
ઇલેક્ટ્રોન એનર્જી લોસ સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (EELS)
-
લો-એનર્જી ઇલેક્ટ્રોન ડિફ્રેક્શન (LEED)
-
ઇન્ડક્ટિવલી કપલ્ડ પ્લાઝ્મા ઓપ્ટિકલ એમિશન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (ICP-OES)
-
રમણ
-
એક્સ-રે ડિફ્રેક્શન (XRD)
-
એક્સ-રે ફ્લોરોસેન્સ (XRF)
-
એટોમિક ફોર્સ માઇક્રોસ્કોપી (AFM)
-
ડ્યુઅલ બીમ - ફોકસ્ડ આયન બીમ (ડ્યુઅલ બીમ - FIB)
-
ઇલેક્ટ્રોન બેકસ્કેટર ડિફ્રેક્શન (EBSD)
-
ઓપ્ટિકલ પ્રોફાઇલમેટ્રી
-
સ્ટાઈલસ પ્રોફાઈલોમેટ્રી
-
માઇક્રોસ્ક્રેચ પરીક્ષણ
-
શેષ ગેસ વિશ્લેષણ (RGA) અને આંતરિક પાણીની વરાળની સામગ્રી
-
ઇન્સ્ટ્રુમેન્ટલ ગેસ એનાલિસિસ (IGA)
-
રધરફોર્ડ બેકસ્કેટરિંગ સ્પેક્ટ્રોમેટ્રી (RBS)
-
કુલ પ્રતિબિંબ એક્સ-રે ફ્લોરોસેન્સ (TXRF)
-
સ્પેક્યુલર એક્સ-રે રિફ્લેક્ટિવિટી (XRR)
-
ડાયનેમિક મિકેનિકલ એનાલિસિસ (DMA)
-
વિનાશક શારીરિક વિશ્લેષણ (DPA) MIL-STD જરૂરિયાતો સાથે સુસંગત
-
વિભેદક સ્કેનિંગ કેલરીમેટ્રી (DSC)
-
થર્મોગ્રેવિમેટ્રિક વિશ્લેષણ (TGA)
-
થર્મોમેકેનિકલ એનાલિસિસ (TMA)
-
થર્મલ ડિસોર્પ્શન સ્પેક્ટ્રોસ્કોપી (TDS)
-
રીઅલ ટાઇમ એક્સ-રે (RTX)
-
સ્કેનિંગ એકોસ્ટિક માઇક્રોસ્કોપી (SAM)
-
સ્કેનિંગ-ટનલિંગ માઇક્રોસ્કોપી (STM)
-
ઇલેક્ટ્રોનિક ગુણધર્મોનું મૂલ્યાંકન કરવા માટે પરીક્ષણો
-
શીટ રેઝિસ્ટન્સ મેઝરમેન્ટ અને એનિસોટ્રોપી અને મેપિંગ અને એકરૂપતા
-
વાહકતા માપન
-
શારીરિક અને યાંત્રિક પરીક્ષણો જેમ કે પાતળા ફિલ્મ તણાવ માપન
-
જરૂરિયાત મુજબ અન્ય થર્મલ ટેસ્ટ
-
પર્યાવરણીય ચેમ્બર, વૃદ્ધત્વ પરીક્ષણો